Транзистор КТ в Санкт-Петербурге
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Конструктор не сложного в сборке Усилителя на транзисторах TIP120 и TIP125 и ОУ TL081. количество в упаковке: 1шт. напряжение: 15 тип: плата SMD-корпус: да
Транзисторы 2П302А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих...
Транзисторы 2Т606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Характеристики: Все характеристики...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP32C транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BDT32C схема MJF32C характеристики цоколевка datasheet MOSFET TIP32D Характеристики транзистора TIP32C Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
-
-
-
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP32C транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BDT32C схема MJF32C характеристики цоколевка datasheet MOSFET TIP32D Характеристики транзистора TIP32C Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ24N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MTP15N06V схема RFP14N06 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ24N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP147T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT62B схема BDT64B характеристики цоколевка datasheet TIP147 Характеристики транзистора TIP147T Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP102 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045G схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet ТИП102 Характеристики транзистора TIP102 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100...
HEXFET N-Channel Logic Level Power MOSFET, Id=260A, Vds=30V, Rds(on)=1,95 mOhm, Vgs=10V, Vgs Typ=1.9V, Pd=230W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP102 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045G схема 2SC2898 характеристики цоколевка datasheet ТИП102 Характеристики транзистора TIP102 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100...
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ817Г: • Структура транзистора:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов TIP147T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT62B схема BDT64B характеристики цоколевка datasheet TIP147 Характеристики транзистора TIP147T Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 13003 T транзистор (5 шт.) TO92 аналог КТ8170А схема КТ859А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 13003 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 13003 T транзистор (5 шт.) TO92 аналог КТ8170А схема КТ859А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 13003 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ24N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MTP15N06V схема RFP14N06 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ24N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5089 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог ZTX696B схема ZTX694B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5089 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
Транзисторы КТ603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая...
TIP120 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6044G схема 2SD2495-P характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP120 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5089 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог ZTX696B схема ZTX694B характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5089 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25...
Биполярный транзистор, характеристики Kfz-ZЃьndung/ Electronic Ignition
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V...
Уважаемый Покупатель! Если Вы не нашли интересующую для Вас информацию на данный товар, напишите нам, и мы постараемся предоставить наиболее развернутое описание с техническими характеристиками, с габаритными размерами, весом, маркировкой,...
TIP120 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6044G схема 2SD2495-P характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP120 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В...
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Транзисторы КТ935А выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора....
Транзисторы СВЧ 2Т919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7.2,4 ГГц в схеме с общей базой. Выпускаются в...
Транзисторы 2Т907А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100.400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе...
Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным...
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V...
Транзисторы 2Т316Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В). Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип...
Транзисторы 2Т363А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом...
Транзисторы 2Т3108А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для применения в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях высокой частоты. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе...
Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами....
Транзисторы СВЧ КТ911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 300 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в...
Транзисторы 2Т950Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30.80 МГц при напряжении питания 28 В, 2Т950Б - в...
Биполярный транзистор, характеристики NF/S-L, 120V, 10A, 80W, B=55-160
Транзисторы СВЧ 2Т920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50.200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ399АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей...
Транзисторы 2Т117Г кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора...
Транзисторы 2Т933А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
Транзисторы 2Т504Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами....
Транзисторы СВЧ 2Т922Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в...
Транзисторы 2Т830Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса...
Транзисторы КТ957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5.30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении...
Транзисторы КТ960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100.400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом...